微纳加工广泛应用于物理、化学、材料、电子、机械、生物等学科。本课程目的是使学生掌握各种微纳加工基本原理,为未来研究打下很好的器件制备基础。
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微纳加工广泛应用于物理、化学、材料、电子、机械、生物等学科。本课程目的是使学生掌握各种微纳加工基本原理,为未来研究打下很好的器件制备基础。
--课程介绍
--微纳工艺综述和超净环境
--第一小节 集成电路中的材料
--第二小节 单晶硅的特性及生长方法
--第一小节 薄膜制备技术简介
--第二小节 化学气相淀积技术
--第三小节 氧化和原子层淀积技术
--第四小节 外延技术
--第五小节 溅射、蒸发和电镀技术
--第一小节 光刻工艺综述
--第二小节 光刻工艺详解
--第三小节 光刻系统及其关键参数
--第四小节 光刻工艺中的常见问题及解决方法
--第五小节 提高光刻精度的办法及其他先进光刻技术
--第一小节 湿法腐蚀和干法刻蚀
--第二小节 干法刻蚀中的若干问题
--第一小节 扩散工艺综述
--第二小节 影响扩散的因素
--第三小节 离子注入工艺介绍
--第四小节 影响离子注入的因素
--第一小节 浅槽隔离
--第二小节 自对准硅化物
--第三小节 High-K介质和金属栅
--第四小节 大马士革工艺
--第一小节 集成电路良率定义
--第二小节 封装和封装驱动力
--第一小节 典型的CMOS制造工艺流程
--第二小节 CMOS scaling 中的若干问题
--第一小节 MEMS制造工艺
--第二小节 体型微加工技术
--第三小节 表面型的微加工技术
--第四小节 MEMS工艺实例
1990年毕业于西安交通大学半导体专业并获得博士学位,1990-2006年就职于中科院微电子所(2001-2006年任所长),2006-2008年在三星半导体中国研发公司工作(任总经理)。2009年1月起加入清华大学微电子所。 曾从事Si CMOS工艺、CMOS/SOI电路和GaN、InP微波器件等方向的研发工作,作为项目负责人主持完成了973项目“新一代化合物半导体器件电路”、中科院创新工程“SOI材料和抗辐射CMOS/SOI电路”和“新型高频化合物半导体电子器件”、“九五”攻关“0.18-0.25微米CMOS集成电路关键技术”、攀登计划“深亚微米化合物半导体HFET”等多个项目,在外企工作期间积累了工业界项目管理经验。获得过国家发明二等奖和政府特殊津贴等奖励。 目前的研究领域有:新型阻变存储器(RRAM)和碳基(Graphene)纳电子器件。
2000 年毕业于清华大学材料科学与工程系,获得工学学士学位,同时获得经管学院双学位。2005年在美国康奈尔大学(Cornell University)电子与计算机工程学院获工学博士学位。随后在美国Spansion公司非易失性存储器研发中心任高级研究员,从事先进非易失性存储器的架构、器件和工艺研究。2009年,加入清华大学微电子学研究所,任副教授。研究领域为低维纳米材料器件及其集成技术研究和新型半导体存储器的设计及优化研发。作为项目(课题)负责人主持国家自然科学基金青年基金项目,国家863主题项目课题,国家973课题等。在国内外专业期刊和会议上发表论文70余篇,受邀在多个国际会议上做邀请报告,拥有19项美国发明专利,国内发明专利申请30余项。